Отчеты показывают, что память Samsung HBM3E прошла сертификацию NVIDIA
Инсайдеры полупроводниковой индустрии южнокорейской индустрии показывают, что 12-слойный продукт с высокой пропускной стороны (HBM3E) пятого поколения (HBM3E) в пятом поколении, наконец, прошел сертификационные тесты NVIDIA.Ожидается, что высококачественная поставка чипов памяти начнется в ближайшее время, позиционируя компанию, чтобы потенциально войти в конкурентный ландшафт HBM4 следующего поколения.
Глобальный спрос на высокопроизводительные вычисления быстро расширяется, особенно обусловлено генеративным моделям ИИ, суперкомпьютерами и цифровыми двойными технологиями.Этот всплеск увеличил рыночный спрос на память с низкой задержкой с высокой пропускной способностью, такую как HBM.
HBM3E DRAM представляет собой критическую технологию памяти для преодоления узких мест для ИИ.С скоростью шины, превышающей 1 ТБ/с, она стала важной компонентом для чипов AI следующего поколения от NVIDIA, AMD и Intel, таких как NVIDIA H200/B100/B200 и AMD MI350X.Без HBM3E эти чипы не могут полностью выпустить свою вычислительную мощность.
Будучи одним из трех основных производителей памяти в мире, Samsung исторически отставал в конкурсе HBM.SK Hynix инициировал массовое производство 12-слойных чипов HBM3E в сентябре прошлого года, после чего Micron достиг сертификации NVIDIA в первом квартале в этом году.Хотя Samsung отправил 12-слойные чипы HBM3E в AMD, он неизменно не смог удовлетворить строгие требования Nvidia по производительности, поскольку предоставила первую партию образцов в феврале прошлого года.
После этого затяжного 18-месячного перетягивания каната, несколько южнокорейских СМИ недавно сообщили, что инсайдеры промышленности показали, что Samsung наконец-то прошел 12-слойные сертификационные тесты Nvidia HBM3E.Samsung станет третьей компанией, которая поставит NVIDIA с 12-слойственной продукцией HBM3E.