
Южнокорейское издание The Elec сообщает, что Samsung, как ожидается, установит на своем предприятии в Остине, штат Техас, оборудование для производства CMOS-датчиков изображения (CIS) для iPhone от Apple.
На прошлой неделе компания Samsung опубликовала вакансию на должность менеджера проектов по механическому и электрическому оборудованию, который в первую очередь отвечает за проектирование подключений на своем заводе по производству пластин.«Подключение» означает прокладку инженерных трубопроводов для подачи природного газа, воды и других коммуникаций на объекте.Менеджер, курирующий этот проект, должен координировать действия проектировщиков, поставщиков и инженеров по оборудованию.
Это объявление о вакансии также указывает на то, что работы по инфраструктуре чистых помещений близятся к завершению, а установка оборудования запланирована после завершения подключения.Одновременно Samsung набирает технических специалистов и инженеров по оборудованию для систем очистки пластин.
Оборудование для очистки пластин в первую очередь удаляет поверхностные загрязнения с кремниевых пластин, поскольку примеси, такие как избыточные оксидные слои или дефектные металлы, могут вызвать дефекты схемы.Следовательно, процессы очистки составляют до 40% этапов изготовления чипов.
Ранее в этом месяце компания Samsung уведомила городской совет Остина об инвестициях в размере 19 миллиардов долларов в свой завод в Остине для технического обслуживания и закупки современного оборудования.Источники указывают, что эти дополнительные инвестиции связаны с новым контрактом Samsung на поставку продукции в СНГ, подписанным с Apple в августе.
Samsung планирует использовать технологию гибридного соединения пластин с пластинами, соединяя три пластины друг с другом для создания нового CIS.Каждая пластина будет предназначена для фотодиодов, транзисторов и аналого-цифровых преобразователей соответственно.Эта структура позволяет уменьшить размер пикселей и снизить шум.
Ожидается, что новая производственная линия в СНГ начнет работу уже в марте следующего года.