Университет Пенсильвании прорыв 2D полупроводниковой материал Процесс подготовки к селениду индия
Исследователи из Школы инженерных и прикладных наук в Университете Пенсильвании в Соединенных Штатах достигли высокопроизводительного двумерного полупроводникового роста на кремниевых пластинах.Новый 2D материал селенид индия (INSE) может быть осажден при достаточно низких температурах для интеграции с кремниевыми чипами.
В отчете говорится, что многие полупроводниковые материалы для кандидатов требуют такого высокой температуры для отложения, тем самым повреждая базовый кремниевый чип.Другие могут быть осаждены при температуре, совместимых с кремнием, но их электронные характеристики - потребление энергии, скорость, точность - отсутствуют.Некоторые соответствуют требованиям температуры и производительности, но не могут расти до чистоты, требуемой отраслевыми стандартами.
Глубокий Jariwala, доцент кафедры электрической и системной инженерии в Университете Пенсильвании, и Seunguk Song, постдокторский исследователь, руководил новым исследованием.INSE уже давно демонстрирует потенциал как двумерный материал для передовых вычислительных чипов из-за превосходной пропускной способности.Тем не менее, было доказано, что производство достаточно больших пленок INSE является сложной задачей, потому что химические свойства индия и селена часто объединяются в нескольких различных молекулярных соотношениях, представляя химическую структуру с различными пропорциями каждого элемента, тем самым повреждая их чистоту.
Команда достигла прорывной чистоты, используя методику роста, называемую «Вертикальным металлом органическим химическим осаждением паров» (MOCVD).В предыдущих исследованиях были попытка ввести равные количества индия и селена одновременно.Однако этот метод является основной причиной плохой химической структуры в материалах, что приводит к различным пропорциям каждого элемента в молекулах.Напротив, принцип работы MOCVD заключается в непрерывном транспортировке индиума при введении селена в форме импульсов.
В дополнение к химической чистоте, команда также способна контролировать и организовать направление кристаллов в материале, еще больше улучшая качество полупроводников, предоставляя беспроблемную среду переноса электронов.
Глубокий Jariwala, доцент кафедры электрической и системной инженерии в Университете Пенсильвании, и Seunguk Song, постдокторский исследователь, руководил новым исследованием.INSE уже давно демонстрирует потенциал как двумерный материал для передовых вычислительных чипов из-за превосходной пропускной способности.Тем не менее, было доказано, что производство достаточно больших пленок INSE является сложной задачей, потому что химические свойства индия и селена часто объединяются в нескольких различных молекулярных соотношениях, представляя химическую структуру с различными пропорциями каждого элемента, тем самым повреждая их чистоту.
Команда достигла прорывной чистоты, используя методику роста, называемую «Вертикальным металлом органическим химическим осаждением паров» (MOCVD).В предыдущих исследованиях были попытка ввести равные количества индия и селена одновременно.Однако этот метод является основной причиной плохой химической структуры в материалах, что приводит к различным пропорциям каждого элемента в молекулах.Напротив, принцип работы MOCVD заключается в непрерывном транспортировке индиума при введении селена в форме импульсов.
В дополнение к химической чистоте, команда также способна контролировать и организовать направление кристаллов в материале, еще больше улучшая качество полупроводников, предоставляя беспроблемную среду переноса электронов.