Диаши
FDG329N.pdfТехнические характеристики FDG329N
Технические спецификации onsemi - FDG329N, атрибуты, параметры и части с аналогичными спецификациями onsemi - FDG329N
| Свойства продукта | Значение атрибута | |
|---|---|---|
| производитель | onsemi | |
| Vgs (й) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA | |
| Vgs (макс.) | ±12V | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Поставщик Упаковка устройства | SC-88 (SC-70-6) | |
| Серии | PowerTrench® | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 1.5A, 4.5V | |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 420mW (Ta) | |
| Упаковка / | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Свойства продукта | Значение атрибута | |
|---|---|---|
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип установки | Surface Mount | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 324 pF @ 10 V | |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 4.6 nC @ 4.5 V | |
| Тип FET | N-Channel | |
| FET Характеристика | - | |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V | |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 20 V | |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 1.5A (Ta) | |
| Базовый номер продукта | FDG329 |
| Атрибут | Описание |
|---|---|
| Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Достичь статуса | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
Три части справа имеют те же характеристики, что и onsemi FDG329N.
| Свойства продукта |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| Тип продуктов | FDG329N | FDG327N | FDG327NZ | FDG361N |
| производитель | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi | onsemi |
| Тип FET | - | - | - | - |
| Поставщик Упаковка устройства | - | 196-NFBGA (12x12) | 16-PDIP | 64-VQFN (9x9) |
| Тип установки | - | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| Упаковка / | - | 196-LFBGA | 16-DIP (0.300', 7.62mm) | 64-VFQFN Exposed Pad |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | - | - | - | - |
| Рабочая Температура | - | -40°C ~ 85°C | 0°C ~ 70°C | -40°C ~ 85°C |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - | - | - | - |
| Технологии | - | - | - | - |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | - | - | - | - |
| Упаковка | - | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | - | - | - | - |
| Серии | - | - | - | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | - | - | - | - |
| FET Характеристика | - | - | - | - |
| Vgs (макс.) | - | - | - | - |
| Vgs (й) (Max) @ Id | - | - | - | - |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | - | - | - | - |
| Базовый номер продукта | - | DAC34H84 | MAX500 | ADS62P42 |
| Рассеиваемая мощность (макс) | - | - | - | - |
Загрузите таблицы данных FDG329N PDF и документацию onsemi для FDG329N - onsemi.
FDG361N MOSFairchild (onsemi)FDG327N MOSFairchild (onsemi)FDG328P-NLFairchild (onsemi)
FDG330PonsemiSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIFDG361NonsemiMOSFET N-CH 100V 600MA SC88FDG330PFairchild SemiconductorMOSFET P-CH 12V 2A SC88FDG329NFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 20V 1.5A SC88FDG361NFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 100V 600MA SC88FDG327NZ MOSFairchild (onsemi)FDG329N MOSFairchild (onsemi)FDG328PFairchild SemiconductorMOSFET P-CH 20V 1.5A SC88FDG328P MOSFairchild (onsemi)FDG328PonsemiMOSFET P-CH 20V 1.5A SC88FDG327N-NLFairchild (onsemi)
FDG332PZonsemiMOSFET P-CH 20V 2.6A SC88FDG327NonsemiN-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET, 20FDG330P MOSFairchild (onsemi)FDG327NZonsemiMOSFET N-CH 20V 1.5A SC88Ваш адрес электронной почты не будет опубликован.
| Ссылка на логистическое время общих стран | ||
|---|---|---|
| Область | Страна | Логистическое время (день) |
| Америка | Соединенные Штаты | 5 |
| Бразилия | 7 | |
| Европа | Германия | 5 |
| Великобритания | 4 | |
| Италия | 5 | |
| Океания | Австралия | 6 |
| Новая Зеландия | 5 | |
| Азия | Индия | 4 |
| Япония | 4 | |
| Средний Восток | Израиль | 6 |
| Ссылка на отправку DHL & FedEx. | |
|---|---|
| Расходы на доставку (кг) | Справочный DHL (USD $) |
| 0,00 кг-1,00 кг | $ 30,00 долл. США - $ 60,00 долл. США |
| 1,00 кг-2,00 кг | 40,00 долл. США - $ 80,00 долл. США |
| 2,00 кг-3,00 кг | $ 50,00 долл. США - $ 100,00 долл. США |
Хотите лучшую цену? добавьте в CART и отправлять RFQ , мы немедленно свяжемся с вами.