Номер детали производителя
NSVMMUN2235LT1G
Производитель
OnSemi
Введение
Предварительно смещенная биполярная переходная транзистор NPN (BJT) с интегрированной сетью резисторов
Особенности продукта и производительность
Предварительно смещенный транзистор с интегрированной сетью резисторов
Низкое напряжение насыщения насыщения коллекционера-эмиттер
Высокий прирост тока постоянного тока
Подходит для различных электронных схем и применений
Разработано для автомобильного и промышленного использования
Преимущества продукта
Упрощенная конструкция схемы со встроенной сетью резисторов
Улучшенная надежность и производительность
Усовершенствованное тепловое управление
Компактное пакет поверхностного монтажа
Ключевые технические параметры
Рейтинг питания: 246 МВт
Напряжение разбивки коллекционера-эмиттер: 50 В
Ток коллекционера (макс): 100 мА
Ток обрезания коллекционера (макс): 500 NA
Напряжение насыщения коллекционера-эмиттер: 250 мВ при 1 мА, 10 мА
Усиление тока постоянного тока: 80 мин при 5 мА, 10 В
Встроенные значения резистора: 2,2 кОм, 47 кОм
Качественные и безопасные функции
ROHS3 соответствует
Автомобильный класс AEC-Q101 квалифицирован
Надежная и долговечная производительность
Совместимость
Подходит для различных электронных схем и применений
Совместим с процессами сборки поверхностного монтажа
Области применения
Автомобильная электроника
Промышленные системы управления
Питания
Аудио усилители
Переключение питания режима
Жизненный цикл продукта
В настоящее время доступно и в производстве
Нет известных планов отмены
Замена или обновленные модели могут стать доступными в будущем
Ключевые причины выбора этого продукта
Упрощенная конструкция схемы со встроенной сетью резисторов
Улучшенная надежность и производительность для автомобильных и промышленных приложений
Компактный и эффективный пакет поверхностного монтажа
Качество и функции безопасности автомобильного класса
Подходит для широкого спектра электронных схем и применений