BSP321PH6327XTSA1 (1)
Номер детали производителя
BSP321PH6327XTSA1
Производитель
Infineon Technologies
Введение
Высокопроизводительный MSFET MOSFET Transistor, предназначенный для широкого спектра приложений.
Особенности продукта и производительность
Напряжение дренажного источника (VDS) до 100 В
Непрерывный ток дренажа (ID) до 980 мА при 25 ° C (TC)
Сопротивление в штате (RDS (ON)) всего 900 МОм при 980 мА, 10 В
Входная емкость (CISS) 319pf при 25 В
Рассеяние мощности (PD) до 1,8 Вт при 25 ° C (TA)
Широкий диапазон рабочей температуры от -55 ° C до 150 ° C
Преимущества продукта
Отличная эффективность электроэнергии из-за низкого сопротивления в штате
Надежный дизайн для надежной работы в суровых условиях
Компактный пакет с поверхностным майком для схемы схема пространства
Ключевые технические параметры
Напряжение дренажного источника (VDS): 100 В
Напряжение в затворе (VGS): ± 20 В
Пороговое напряжение (VGS (TH)): 4 В при 380 мкА
Заряд ворот (QG): 12NC при 10 В
Качественные и безопасные функции
ROHS3 соответствует
Уровень чувствительности влаги (MSL): 1
Совместимость
Совместим с широким спектром электронных устройств и цепей
Области применения
Переключение источников питания
Моторный контроль
Системы управления аккумуляторами
Промышленная и потребительская электроника
Жизненный цикл продукта
Этот продукт в настоящее время находится в активном производстве и не близок к прекращению.
Варианты замены или обновления доступны в портфеле продуктов Sipmos от Infineon.
Ключевые причины выбора этого продукта
Отличная эффективность электроэнергии и низкие потери мощности
Надежная и надежная производительность в суровых условиях
Компактный пакет с поверхностным майком для проектирования космического обеспечения
Широкий диапазон рабочей температуры для универсальных применений
Соответствие ROHS3 для экологически чистого использования
BSP321P L6327Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
BSP321PN/A











