- ECUb***h
- 2026/09/22
Диаши
SISS5112DN.pdfХотите лучшую цену?
добавьте в CART и отправлять RFQ , мы немедленно свяжемся с вами.
| Количество | Стоимость единици | Итоговые цены |
|---|---|---|
| 1+ | $0.708 | $0.71 |
Технические характеристики SISS5112DN-T1-GE3
Технические спецификации Vishay Siliconix - SISS5112DN-T1-GE3, атрибуты, параметры и части с аналогичными спецификациями Vishay Siliconix - SISS5112DN-T1-GE3
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| производитель | Vishay / Siliconix |
| Vgs (й) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | PowerPAK® 1212-8S |
| Серии | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.9mOhm @ 10A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 3.7W (Ta), 52W (Tc) |
| Упаковка / | PowerPAK® 1212-8S |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 790 pF @ 50 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 16 nC @ 10 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 100 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 11A (Ta), 40.7A (Tc) |
| Базовый номер продукта | SISS5112 |
| Атрибут | Описание |
|---|---|
| Статус RoHS | ROHS3 соответствует |
| Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
| ECCN | EAR99 |
Три части справа имеют те же характеристики, что и Vishay Siliconix SISS5112DN-T1-GE3.
| Свойства продукта | ||||
|---|---|---|---|---|
| Тип продуктов | SISS5110DN-T1-GE3 | SISS5710DN-T1-GE3 | SISS52DN-T1-GE3 | SISS5623DN-T1-GE3 |
| производитель | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | - | - | - | - |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | - | - | - | - |
| Рассеиваемая мощность (макс) | - | - | - | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | - | - | - | - |
| Тип установки | - | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | - | - | - | - |
| Поставщик Упаковка устройства | - | 196-NFBGA (12x12) | 16-PDIP | 64-VQFN (9x9) |
| Серии | - | - | - | - |
| Vgs (й) (Max) @ Id | - | - | - | - |
| Упаковка / | - | 196-LFBGA | 16-DIP (0.300', 7.62mm) | 64-VFQFN Exposed Pad |
| Упаковка | - | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| Vgs (макс.) | - | - | - | - |
| FET Характеристика | - | - | - | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - | - | - | - |
| Рабочая Температура | - | -40°C ~ 85°C | 0°C ~ 70°C | -40°C ~ 85°C |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | - | - | - | - |
| Технологии | - | - | - | - |
| Базовый номер продукта | - | DAC34H84 | MAX500 | ADS62P42 |
| Тип FET | - | - | - | - |
Загрузите таблицы данных SISS5112DN-T1-GE3 PDF и документацию Vishay Siliconix для SISS5112DN-T1-GE3 - Vishay Siliconix.
SISS50DN-T1-GE3Infineon
SISS52DN-T1-GE3VishayВаш адрес электронной почты не будет опубликован.
| Ссылка на логистическое время общих стран | ||
|---|---|---|
| Область | Страна | Логистическое время (день) |
| Америка | Соединенные Штаты | 5 |
| Бразилия | 7 | |
| Европа | Германия | 5 |
| Великобритания | 4 | |
| Италия | 5 | |
| Океания | Австралия | 6 |
| Новая Зеландия | 5 | |
| Азия | Индия | 4 |
| Япония | 4 | |
| Средний Восток | Израиль | 6 |
| Ссылка на отправку DHL & FedEx. | |
|---|---|
| Расходы на доставку (кг) | Справочный DHL (USD $) |
| 0,00 кг-1,00 кг | $ 30,00 долл. США - $ 60,00 долл. США |
| 1,00 кг-2,00 кг | 40,00 долл. США - $ 80,00 долл. США |
| 2,00 кг-3,00 кг | $ 50,00 долл. США - $ 100,00 долл. США |













Хотите лучшую цену? добавьте в CART и отправлять RFQ , мы немедленно свяжемся с вами.