Номер детали производителя
BS170fta
Производитель
Диоды включены
Введение
N-канальный мосфет-транзистор
Часть Diodes Incorporated Discrete полупроводниковой линейки продуктов
Особенности продукта и производительность
Способен обрабатывать 150 мА непрерывный канализацию при 25 ° C
Низкая на резистентность 5 Ом @ 200 мА, 10 В
Широкий диапазон рабочей температуры от -55 ° C до 150 ° C
Низкая входная емкость 60pf @ 10V
Максимальная рассеяние мощности 330 МВт при 25 ° C
Преимущества продукта
Подходит для применений с низким энергопотреблением и усилителями
Компактный и экономный пакет SOT-23-3
ROHS COMPARING DESIGN
Ключевые технические параметры
Слив до источника напряжения (VDS): 60 В
Веревка к напряжению источника (VGS): ± 20 В
Пороговое напряжение (VGS (TH)): 3V @ 1MA
Дренаж для источника устойчивости (RDS (ON)): 5 Ом @ 200 мА, 10 В
Качественные и безопасные функции
Соответствие правилам ROHS3
Надежная и стабильная производительность
Совместимость
Совместим с различными электронными схемами и приложениями с низким энергопотреблением
Области применения
Подходит для использования в цепях переключения с низким энергопотреблением, усилителями и другими электронными устройствами
Жизненный цикл продукта
В настоящее время в производстве
Варианты замены или обновления могут быть доступны в Diodes Incorporated
Ключевые причины выбора этого продукта
Отличные характеристики производительности, в том числе низкий уровень устойчивости и широкий диапазон рабочей температуры
Компактный и экономный пакет SOT-23-3
Соответствие ROHS для экологически чистого дизайна
Надежная и стабильная производительность для долгосрочного использования
BS170KLElectro-Films (EFI) / Vishay
BS170D26ZFSC
BS170PDiodes IncorporatedMOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3
BS170Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3
BS170-D26ZonsemiMOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
BS170-D75ZonsemiMOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
BS170PSTZDiodes Incorporated