Номер детали производителя
DGD2190S8-13
Производитель
Диоды
Введение
DGD2190S8-13 является драйвером GATE, специально разработанным для приложений управления питанием, совместимым с MOSFET IGBT и N-канала в конфигурациях Half Bridge.
Особенности продукта и производительность
Поддерживает конфигурацию, управляемую половином моста
Способен управлять двумя независимыми каналами
Подходит для типов затворов IGBT и N-канала MOSFET
Диапазон напряжения подачи от 10 В до 20 В
Логические входные пороги 0,8 В (VIL) и 2,5 В (VIH)
Пик выходного тока 4,5А как для источника, так и для погружения
Не инвертирующий тип ввода
Высокое боковое напряжение может подняться до 600 В (начальная загрузка)
Типичное время роста 25NS и время падения 20NS
Работает в широком диапазоне температуры от -40 ° C до 150 ° C
Преимущества продукта
Высокий пиковой выходной ток обеспечивает надежную способность привода
Широкий входной логический диапазон напряжения обеспечивает совместимость с различными логическими семействами
Быстрое переключение с низким временем роста и падения повышает эффективность
Высокая температурная работа, подходящая для требовательных средств
Ключевые технические параметры
Тип канала: независимый
Напряжение - Поставка: 10 В ~ 20 В
Пиковой выход тока (источник, раковина): 4,5a, 4.5a
Высокое боковое напряжение макс (начальная загрузка): 600 В
Время подъема / падения (тип): 25NS, 20NS
Рабочая температура: -40 ° C ~ 150 ° C (TJ)
Качественные и безопасные функции
Построен для безопасной обработки высоких уровней напряжения
Надежная производительность при широких рабочих температурах обеспечивает надежность
Совместимость
Совместим как с типами затворов MOSFET IGBT и N-канала
Подходит для технологии поверхностного крепления и поставляется в 8-полном пакете
Области применения
Подходит для различных приложений управления питанием
Специально разработано для конфигураций половины мостика в приложениях PMIC
Жизненный цикл продукта
В настоящее время отмечается как устаревший
Клиенты должны искать замены или потенциальные обновления из -за прекращения
Несколько ключевых причин выбрать этот продукт
Возможность высокого побочного напряжения до 600 В для универсальных применений
Поддерживает операционную эффективность с быстрым ростом и падением
Пропускная способность выходного тока 4,5A повышает мощность вождения
Устойчивые к экстремальным температурным диапазонам от -40 ° C до 150 ° C
Устанивание статуса подсказывает рассмотрение альтернатив в будущем в планировании проектирования
DGD23892S28-13Diodes IncorporatedIC GATE DRV HALF-BRIDG 28SO 1.5K
DGD2304Diodes Incorporated
DGD2184MS8-13Diodes IncorporatedIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
DGD3N0880UT-345RTDK Corporation