Номер детали производителя
PD85006-E
Производитель
Stmicroelectronics
Введение
PD85006-E является дискретным полупроводниковым продуктом, в частности транзистор-транзистор-транзистор (FET), металлический оксид-символ-транзисторный транзистор (MOSFET)-RF (радиочастота) от STMicrolectronics.
Особенности продукта и производительность
LDMOS (в боковой диффузированной металлической оксида-семинардантере) технология
Выходная мощность 6 Вт
Тестовый ток 200 мА
Оцененное напряжение 40 В
Выигрыш 17 дБ
Тестовое напряжение 13,6 В
Текущий рейтинг 2А
Рабочая частота 870 МГц
Преимущества продукта
Надежная и надежная технология LDMOS
Подходит для приложений усилителя РЧ -мощности
Компактная и эффективная выходная мощность
Ключевые технические параметры
Пакет: Powerso-10 открыта нижняя площадка
Соответствие ROHS: ROHS3 соответствует
Качественные и безопасные функции
Упаковка производителя: 10-плюссо
Упаковка трубки
Совместимость
Не предоставлена конкретная информация о совместимости.
Области применения
Приложения усилителя РЧ -мощности
Жизненный цикл продукта
Никакой информации о жизненном цикле продукта или наличии замены/обновлений.
Ключевые причины выбора этого продукта
Надежная и надежная технология LDMOS
Подходит для эффективных применений усилителей РЧ -мощности
Компактная и эффективная выходная мощность

PD85015-E