Номер детали производителя
STD20NF06T4
Производитель
Stmicroelectronics
Введение
Высокопроизводительный N-канальный MOSFET Transistor с низким уровнем устойчивости и быстрым переключением для приложений управления питанием.
Особенности продукта и производительность
Низкое притилизация 40 МОм @ 12 a, 10 В
Высокий непрерывный ток слив 24 А при 25 ° С
Широкий диапазон рабочей температуры от -55 ° C до 175 ° C
Быстрое переключение с низким зарядом затвора 31 NC @ 10 V
Высокое напряжение источника 60 В
Компактный пакет поверхностного монтажа DPAK
Преимущества продукта
Отличная эффективность энергии и тепловые характеристики
Улучшенная плотность мощности и надежность системы
Подходит для применений с высоким уровнем и высоковольтным
Легко интегрироваться в схемы управления питанием
Ключевые технические параметры
Напряжение источника дренажа (VDS): 60 В
Напряжение источника затвора (VGS): ± 20 В
На резистентности (RDS (ON)): 40 МОм @ 12 A, 10 В
Непрерывный ток дренажа (ID): 24 A @ 25 ° C
Входная емкость (CISS): 690 PF @ 25 V
Рассеяние мощности (PD): 60 Вт при 25 ° C
Качественные и безопасные функции
ROHS3 соответствует
Спроектирован и изготовлен в соответствии с высококачественными стандартами
Совместимость
Подходит для широкого спектра приложений управления электроснабжением
Области применения
Переключение источников питания
Моторные диски
Телекоммуникационное оборудование
Промышленная и потребительская электроника
Жизненный цикл продукта
Этот продукт в настоящее время находится в производстве и широко доступен.
Замена или обновления могут быть доступны в будущем по мере развития технологий.
Ключевые причины выбора этого продукта
Отличная эффективность энергии и тепловые характеристики
Быстрое переключение и высокая способность обработки тока
Широкий диапазон рабочей температуры для надежной работы
Компактное поверхностное крепление для монтиров
Проверенное качество и надежность от уважаемого производителя
STD20P07LT4GAMI Semiconductor/onsemi
STD20NE03LSTMicroelectronics