Номер детали производителя
Std6nf10t4
Производитель
Stmicroelectronics
Введение
STD6NF10T4 представляет собой N-канальный транзистор MOSFET с напряжением источника дренажного источника 100 В и непрерывным током дренажа 6А при 25 ° C.
Особенности продукта и производительность
Низкое притилизация 250 МОм при 3А, 10 В
Диапазон рабочей температуры от -65 ° C до 175 ° C
Входная емкость 280 pf при 25 В
Заряд ворот 14 NC при 10 В
Рассеяние мощности 30 Вт в ТК
Преимущества продукта
Подходит для мощных переключающих приложений
Отличные тепловые характеристики
Компактный пакет DPAK
Ключевые технические параметры
Напряжение источника дренажа (VDS): 100 В
Напряжение источника затвора (VGS): ± 20 В
На резистентности (RDS (ON)): 250 МОм @ 3A, 10V
Непрерывный ток дренажа (ID): 6a при 25 ° C
Входная емкость (CISS): 280 PF @ 25V
Рассеяние энергии (PTOT): 30 Вт в TC
Качественные и безопасные функции
ROHS3 соответствует
Подходит для приложений с высокой надежностью
Совместимость
Предназначен для применения поверхностного монтажа
Области применения
Мощные переключающие приложения
Питания
Моторные диски
Инверторы
Жизненный цикл продукта
Этот продукт в настоящее время находится в производстве и широко доступен.
Несколько ключевых причин выбрать этот продукт
Отличные характеристики производительности, в том числе низкий уровень устойчивости, высокий канал и широкий диапазон рабочей температуры
Компактный и эффективный пакет DPAK
Подходит для мощных приложений с высокой надежностью
Длинный жизненный цикл продукта и доступность
STD70GK14SIRECTIFIERIGBT Module
STD6NF10T4 MOSSTMicroelectronics
STD6N95K5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 950V 9A DPAK
STD6N80K5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 800V 4.5A DPAK