Номер детали производителя
Std7n65m2
Производитель
Stmicroelectronics
Введение
N-канальный мосфет-транзистор
Особенности продукта и производительность
Высокое напряжение, до 650 В дренажного источника напряжения
Низкий на резистентности, 1,15 Ом макс.в 2,5А, 10 В
Высокая способность тока, 5A непрерывный канатный ток при 25 ° C
Низкий заряд затвора, 9NC Max.в 10 В.
Широкий диапазон рабочей температуры от -55 ° C до 150 ° C
Преимущества продукта
Отличная эффективность электроэнергии
Надежная и надежная производительность
Подходит для высокого напряжения, применения высокого тока
Ключевые технические параметры
Напряжение источника дренажа (VDS): 650V
Напряжение источника затвора (VGS): ± 25 В
На сопротивлении (RDS (ON)): 1,15 Ом макс.в 2,5А, 10 В
Непрерывный ток дренажа (ID): 5a при 25 ° C
Входная емкость (CISS): 270pf max.при 100 В
Рассеяние власти (PD): 60 Вт в TC
Качественные и безопасные функции
ROHS3 соответствует
Поставляется в пакете DPAK
Надежный и надежный дизайн для промышленных применений
Совместимость
Универсальная совместимость с высоким напряжением, схемами высокого тока и систем
Области применения
Переключатель питания режима
Моторные диски
Освещение балластов
Сварочное оборудование
Промышленная автоматизация и контроль
Жизненный цикл продукта
В настоящее время доступно, нет планов на прекращение.Замена и обновления доступны при необходимости.
Ключевые причины выбора этого продукта
Отличная эффективность электроэнергии и производительность
Надежный и надежный дизайн для промышленного использования
Широкий диапазон рабочей температуры
Комплексные технические параметры для удовлетворения требований проектирования
Совместимость с высоким напряжением, приложениями высокого тока
STD7N65STMicroelectronics
STD7N80K5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 800V 6A DPAK