Номер детали производителя
STL26NM60N
Производитель
Stmicroelectronics
Введение
N-канальный мощный транзистор MOSFET
Разработано для высоковольтных, мощных переключающих приложений
Особенности продукта и производительность
Напряжение источника дренажа (VDS) 600 В
Непрерывный ток дренажа (ID) 2,7а при 25 ° C, 19a при температуре корпуса 25 ° C.
На резистентности (RDS (ON)) 185 МОм при 10А, 10 В
Входная емкость (CISS) 1800PF при 50 В
Рассеяние мощности 125 МВт при окружающей среде 25 ° C, 3 Вт при температуре корпуса 25 ° C
Рабочий диапазон температуры от -55 ° C до 150 ° C
Преимущества продукта
Высоковольная, мощная способность
Низкая устойчивость на низких потери проводимости
Compact PowerFlat (8x8) HV -пакет
Ключевые технические параметры
VDSS: 600 В.
ID: 2.7A (TA), 19A (TC)
RDS (ON): 185Mω @ 10a, 10V
Ciss: 1800pf @ 50v
TJ (макс): 150 ° C.
Качественные и безопасные функции
ROHS3 соответствует
Придерживается стандартов качества и безопасности
Совместимость
Подходит для высоковольтных, мощных переключающих приложений
Области применения
Переключение источников питания
Моторные диски
Промышленная и потребительская электроника
Автомобильная электроника
Жизненный цикл продукта
Этот продукт является активной и доступной частью от Stmicroelectronics.
Параметры замены или обновления могут быть доступны;Проконсультируйтесь с производителем на предмет последней информации.
Ключевые причины выбора этого продукта
Высоковольная, мощная способность
Низкая устойчивость к эффективной эксплуатации
Компактный и надежный пакет PowerFlat
Соответствие стандартам качества и безопасности
Пригодность для широкого спектра мощных переключающих приложений
STL25N15F4STMicroelectronicsMOSFET N-CH 150V 25A POWERFLAT
STL2E4-53Carling TechnologiesSWITCH TOGGLE