Номер детали производителя
STL60N10F7
Производитель
Stmicroelectronics
Введение
Высокопроизводительный N-канальный MOSFET с низким уровнем устойчивости и высокой токами для широкого спектра приложений управления питанием.
Особенности продукта и производительность
Напряжение дренажного до источника 100 В.
Максимум на 18 мОм на 6А, 10 В, 10 В
46a непрерывный канализация при 25 ° C
Широкий диапазон температуры: от -55 ° C до 175 ° C
Низкая входная емкость 1640pf при 50 В
Максимальная рассеяние мощности 5 Вт при 25 ° C, 72 Вт при 100 ° C
Преимущества продукта
Отличная эффективность и тепловые характеристики
Оптимизированы для приложений с высоким уровнем частоты, частоты с высоким переключением
Надежный дизайн для суровых средств
Ключевые технические параметры
Напряжение дренажного источника (VDS): 100 В
Напряжение в затворе (VGS): ± 20 В
На резистентности (rds (ON)): 18Mω @ 6a, 10v
Ток слив (ID): 46A при 25 ° C
Входная емкость (CISS): 1640pf @ 50V
Рассеяние мощности (PD): 5 Вт при 25 ° C, 72 Вт при 100 ° C
Качественные и безопасные функции
ROHS3 соответствует
Спроектирован и изготовлен по высококачественным стандартам
Совместимость
Подходит для широкого спектра приложений управления электроснабжением, включая электроэнергию, автопричные и промышленные средства.
Области применения
Переключатель питания режима
Моторные диски
Промышленное управление
Силовая управление цепями
Жизненный цикл продукта
Текущий продукт, не близок к прекращению
Замена и обновления доступны по мере выпуска новых продуктов.
Ключевые причины выбора этого продукта
Отличная эффективность и тепловые характеристики для применений с высоким уровнем переключения.
Надежный дизайн для суровых средств
Оптимизирован для приложений управления питанием с высокой надежностью и длительным сроком службы
Соответствие ROHS3 для экологически чистых приложений
STL6110Samsung Semiconductor
STL57N65M5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 4.3A 8POWERFLAT
STL6118-33S5-TRG1149