Номер детали производителя
STP7N95K3
Производитель
Stmicroelectronics
Введение
Высоковольтный, N-канальный мощный MOSFET в пакете TO-220
Особенности продукта и производительность
Высокое напряжение разбивки на расстояние до источника 950 В
Низкий притилизация (RDS (ON)) 1,35 Ом при 3,6А, 10 В
Широкий диапазон рабочей температуры от -55 ° C до 150 ° C
Низкая входная емкость 1031pf при 100 В
Непрерывный ток дренажа (ID) 7,2А при 25 ° C
Преимущества продукта
Отличная высоковольтная обработка
Низкие потери мощности из-за низкой устойчивости
Надежная работа в широком диапазоне температур
Компактный пакет-220
Ключевые технические параметры
Дренажное напряжение (VDS): 950V
Напряжение за воротами (VGS): ± 30 В
На сопротивлении (RDS (ON)): 1,35 Ом при 3,6А, 10 В
Непрерывный ток дренажа (ID): 7,2а при 25 ° C
Входная емкость (CISS): 1031PF при 100 В
Рассеяние власти (PD): 150 Вт на TC
Качественные и безопасные функции
ROHS3 соответствует
Размещен в надежном пакете-220
Совместимость
Подходит для различных высоковольтных, мощных применений
Области применения
Подходит для использования в расходных материалах, моторных приводах и других высоковольтных, мощных цепях
Жизненный цикл продукта
Этот продукт является активной и широко используемой частью в портфеле Stmicroelectronics
Нет планов на прекращение, а запасные детали легко доступны
Несколько ключевых причин выбрать этот продукт
Отличная высоковольтная обработка до 950 В
Низкая устойчивость к эффективному преобразованию энергии
Широкий диапазон рабочей температуры для надежной работы
Компактный и надежный пакет-220
Соответствие ROHS3 для экологической ответственности
Легко доступен и активно поддерживается производителем
STP7N52K3STMicroelectronics
STP7NB60FP
STP7N65M2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 5A TO220
STP7N80K5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 800V 6A TO220