Номер детали производителя
Stu7n80k5
Производитель
Stmicroelectronics
Введение
Высоковольтный N-канальный мощный MOSFET
Особенности продукта и производительность
Высокое напряжение блокировки до 800 В
Низкое притилизация 1,2 Ом при 3А, 10 В
Низкий заряд затвора 13,4 нк при 10 В
Широкий диапазон рабочей температуры от -55 ° C до 150 ° C
Высокие возможности тока 6А при 25 ° C
Преимущества продукта
Отличная эффективность электроэнергии
Высокая надежность
Крепкий и бурный дизайн
Подходит для высоковольтных, мощных применений
Ключевые технические параметры
Дренажное напряжение (VDS): 800 В
Напряжение за воротами (VGS): ± 30 В
На резистентности (RDS (ON)): 1,2 Ом при 3А, 10 В
Непрерывный ток дренажа (ID): 6a при 25 ° C
Входная емкость (CISS): 360pf при 100 В
Рассеяние власти (TC): 110 Вт
Качественные и безопасные функции
ROHS3 соответствует
Соответствует стандартам безопасности отрасли
Совместимость
Подходит для широкого спектра высоковольтных, мощных применений
Области применения
Переключение источников питания
Моторные диски
Промышленная автоматизация
Бытовые приборы
Схемы освещения и светодиодных водителей
Жизненный цикл продукта
Этот продукт активно доступен и не близок к прекращению.
Варианты замены или обновления доступны от производителя.
Ключевые причины выбора этого продукта
Возможности высокого напряжения и тока
Низкая на устойчивость для повышения эффективности
Надежный и надежный дизайн для приложений высокого стресса
Широкий диапазон рабочей температуры
Сертификаты соответствия ROHS и безопасности
STU7N60M2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 5A IPAK