Номер детали производителя
STW58N60DM2AG
Производитель
Stmicroelectronics
Введение
Высокопроизводительный N-канальный MOSFET, подходящий для автомобильных и промышленных применений
Особенности продукта и производительность
600 В дренажного источника напряжения
50a непрерывный канализационный ток при 25 ° C
Низкое притилизация 60 мОм при напряжении затвора 10 В.
Широкий диапазон рабочей температуры от -55 ° C до 150 ° C
Быстрая скорость переключения и низкий заряд затвора 90NC при 10 В
Преимущества продукта
Отличная эффективность электроэнергии
Высокая плотность мощности
Надежная производительность автомобильного класса
Подходит для высоковольтных, высоких применений
Ключевые технические параметры
Напряжение источника дренажа (VDS): 600 В
Напряжение источника затвора (VGS): ± 25 В
На резистентности (rds (ON)): 60 МОм при 25А, 10 В
Непрерывный ток дренажа (ID): 50a при 25 ° C
Входная емкость (CISS): 4100PF при 100 В
Рассеяние мощности (PTOT): 360 Вт в TC
Качественные и безопасные функции
AEC-Q101 квалифицирован для автомобильных приложений
ROHS3 соответствует
Совместимость
До 247-3 пакета
Подходит для мощных приложений с высоким напряжением
Области применения
Автомобильная электроника (например, двигательные приводы, преобразователи питания)
Промышленная электроника (например, питания, инверторы)
Системы возобновляемой энергии (например, солнечная энергия, ветер)
Жизненный цикл продукта
В настоящее время в производстве
Нет планов на прекращение
Замена и обновления доступны
Ключевые причины выбора
Отличная эффективность мощности и высокая плотность мощности
Надежная производительность автомобильного класса
Широкий диапазон рабочей температуры
Подходит для высоковольтных, высоких применений
AEC-Q101 квалифицированный и соответствующий ROHS3
STW57N65M5-4STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 42A TO247-4L