Номер детали производителя
STW6N90K5
Производитель
Stmicroelectronics
Введение
Высоковольтный высокопроизводительный N-канальный MOSFET с низкой устойчивостью и высокой надежностью для промышленных и потребительских применений
Особенности продукта и производительность
900 В дренажного напряжения
1 Ом максимум на резистентности при 3А, 10 В
6a непрерывный ток дренажа при температуре корпуса 25 ° C
Максимальная рассеяние мощности 110 Вт
Рабочая температура от -55 ° C до 150 ° C
Быстрая возможность переключения
Преимущества продукта
Повышенная эффективность и снижение потребления энергии
Надежная и надежная производительность
Подходит для широкого спектра высоковольтных применений
Ключевые технические параметры
Дренажное напряжение (VDS): 900 В
Напряжение за воротами (VGS): ± 30 В
На резистентности (RDS (ON)): 1,1 Ом @ 3A, 10V
Непрерывный ток дренажа (ID): 6A при 25 ° C
Рассеяние мощности (PD): 110 Вт при 25 ° C
Качественные и безопасные функции
ROHS3 соответствует
Спроектирован и изготовлен в соответствии с высококачественными стандартами
Совместимость
Подходит для широкого спектра высоковольтных, мощных промышленных и потребительских применений
Области применения
Переключатель питания режима
Моторные диски
Индуктивные освещения балластов
Высоковольтная промышленная и потребительская электроника
Жизненный цикл продукта
В настоящее время в активном производстве
Доступные замены и обновления могут быть введены в будущем
Ключевые причины выбора этого продукта
Высоковольтные и высокие возможности
Низкая на устойчивость для повышения эффективности
Надежная и надежная производительность в широком диапазоне температур
Подходит для разнообразного диапазона мощных применений
Производится в соответствии с высокими стандартами качества и безопасности
STW68N60M6STMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V TO247-3
STW69N65M5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 58A TO247
STW68N65DM6-4AGSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 72A TO247-4