- Jess***Jones
- 2026/04/17
Диаши
GP1L53V.pdfТехнические характеристики GP1L53V
Технические спецификации Sharp Microelectronics - GP1L53V, атрибуты, параметры и части с аналогичными спецификациями Sharp Microelectronics - GP1L53V
| Свойства продукта | Значение атрибута | |
|---|---|---|
| производитель | Sharp Microelectronics | |
| Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) | 35 V | |
| Тип | Unamplified | |
| Серии | - | |
| Метод зондирования | Through-Beam | |
| Измеряемое расстояние | 0.197" (5mm) | |
| Время отклика | 80µs, 70µs |
| Свойства продукта | Значение атрибута | |
|---|---|---|
| Упаковка / | PCB Mount | |
| Упаковка | Bulk | |
| Выходная конфигурация | Photodarlington | |
| Рабочая Температура | -25°C ~ 85°C | |
| Тип установки | Through Hole | |
| Ток - постоянный ток (если) (макс.) | 50 mA | |
| Ток - коллектор (Ic) (Макс) | 40 mA |
| Атрибут | Описание |
|---|---|
| Статус RoHS | RoHS несовместим |
| Уровень чувствительности влаги (MSL) | 3 (168 Hours) |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.49.8000 |
Три части справа имеют те же характеристики, что и Sharp Microelectronics GP1L53V.
| Свойства продукта | ![]() |
|||
|---|---|---|---|---|
| Тип продуктов | GP1L53V | GP1L52VJ000F | GP1L52V | GP1L57 |
| производитель | Sharp Microelectronics | Sharp Microelectronics | Sharp Microelectronics | Sharp Microelectronics |
| Измеряемое расстояние | 0.197" (5mm) | 0.118' (3mm) | 0.118' (3mm) | 0.394' (10mm) |
| Ток - постоянный ток (если) (макс.) | 50 mA | 50 mA | 50 mA | 50 mA |
| Рабочая Температура | -25°C ~ 85°C | -25°C ~ 85°C | -25°C ~ 85°C | -25°C ~ 85°C |
| Тип | Unamplified | Unamplified | Unamplified | Unamplified |
| Выходная конфигурация | Photodarlington | Photodarlington | Photodarlington | Photodarlington |
| Время отклика | 80µs, 70µs | 80µs, 70µs | 80µs, 70µs | 130µs, 100µs |
| Метод зондирования | Through-Beam | Through-Beam | Through-Beam | Through-Beam |
| Серии | - | - | - | - |
| Упаковка / | PCB Mount | PCB Mount | PCB Mount | PCB Mount |
| Тип установки | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) | 35 V | 35 V | 35 V | 35 V |
| Упаковка | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| Ток - коллектор (Ic) (Макс) | 40 mA | 40 mA | 40 mA | 40 mA |
Загрузите таблицы данных GP1L53V PDF и документацию Sharp Microelectronics для GP1L53V - Sharp Microelectronics.
GP1M003A040CGGlobal Power Technologies GroupMOSFET N-CH 400V 2A DPAK
GP1L0C-P05QJ00-0000ODUODU MINI-SNAP RECEPT.,STYP,SZ.1,
GP1L0C-P02QP00-0000ODUODU MINI-SNAP RECEPT, STY P, SZ
GP1L51Sharp Microelectronics
GP1L0C-P04QJ00-0000ODUODU MINI-SNAP RECEPT, STY P, SZ
GP1M003A080CHGlobal Power Technologies GroupMOSFET N-CH 800V 3A DPAK
GP1L53VJ000FSharp Microelectronics
GP1L57Sharp MicroelectronicsSENSOR OPT SLOT DARL PCB MOUNT
GP1L0C-P08QF10-0000ODUODU MINI-SNAP RECEPT.,STYP,SZ.1,
GP1L0C-P08QF00-0000ODUODU MINI-SNAP RECEPT.,STY1,SZ.1,
GP1M003A050CGGlobal Power Technologies GroupMOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK
GP1L52Sharp MicroelectronicsВаш адрес электронной почты не будет опубликован.
| Ссылка на логистическое время общих стран | ||
|---|---|---|
| Область | Страна | Логистическое время (день) |
| Америка | Соединенные Штаты | 5 |
| Бразилия | 7 | |
| Европа | Германия | 5 |
| Великобритания | 4 | |
| Италия | 5 | |
| Океания | Австралия | 6 |
| Новая Зеландия | 5 | |
| Азия | Индия | 4 |
| Япония | 4 | |
| Средний Восток | Израиль | 6 |
| Ссылка на отправку DHL & FedEx. | |
|---|---|
| Расходы на доставку (кг) | Справочный DHL (USD $) |
| 0,00 кг-1,00 кг | $ 30,00 долл. США - $ 60,00 долл. США |
| 1,00 кг-2,00 кг | 40,00 долл. США - $ 80,00 долл. США |
| 2,00 кг-3,00 кг | $ 50,00 долл. США - $ 100,00 долл. США |
Хотите лучшую цену? добавьте в CART и отправлять RFQ , мы немедленно свяжемся с вами.